Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 911-4791
Tillv. art.nr:: BSP171PH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

2 656,00 kr

(exkl. moms)

3 320,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

20 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
1000 +	2,656 kr	2 656,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 911-4791
Tillv. art.nr:: BSP171PH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	1.9A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	SIPMOS
	Kapseltyp	SOT-223
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	4
	Maximal drain-källresistans Rds	300mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	13nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	-1.1V
	Maximal effektförlust Pd	1.8W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	1.6mm
	Längd	6.5mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.9A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie SIPMOS
	Kapseltyp SOT-223
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 4
	Maximal drain-källresistans Rds 300mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf -1.1V
	Maximal effektförlust Pd 1.8W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 1.6mm
	Längd 6.5mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

COO (ursprungsland):: MY

MOSFET i Infineons SIPMOS®-serie, 1,9 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 1,8 W maximal effektförlust - BSP171PH6327XTSA1

Denna MOSFET är konstruerad för högpresterande switchapplikationer och utnyttjar P-kanalsteknik. Med SIPMOS®-teknik säkerställer den tillförlitlig drift i ett kompakt SOT-223-paket, vilket gör den till ett lämpligt alternativ för fordons- och industriapplikationer. Den kontinuerliga dräneringsströmmen på 1,9 A och en maximal spänning på 60 V ökar effektiviteten när det gäller att effektivt hantera ström vid olika användningsområden.

Funktioner & fördelar

• P-kanalskonfiguration stöder applikationer med låg sidoswitchning

• Enhancement mode operation främjar effektiv prestanda

• Ytmonterad design sparar värdefullt PCB-utrymme

• Klassad för höga temperaturer upp till +150°C, vilket garanterar lång livslängd

• Låg Rds(on) minskar effektförlusten vid växling

Användningsområden

• Lastväxling i fordonselektronik

• Effektstyrningskretsar för energieffektivitet

• Högfrekvent kräver snabb omkoppling

• Drivlaster i elektroniska konsumentprodukter

• Strömförsörjningskretsar som kräver kompakta lösningar

Vilken är den maximala drain-source-spänningen som denna komponent kan hantera?

Komponenten klarar en maximal drain-source-spänning på 60V, vilket gör den lämplig för olika applikationer.

Hur fungerar denna komponent vid förhöjda temperaturer?

Den fungerar effektivt i temperaturer upp till +150°C, vilket ger prestanda i krävande miljöer.

Kan den användas i batteridrivna kretsar?

Ja, dess låga Rds(on) minskar strömförlusten avsevärt, vilket gör den väl lämpad för batteridrivna enheter.

Vad är betydelsen av lavinklassningen?

Avalanche-klassificeringen visar att enheten kan absorbera energitoppar, vilket förbättrar dess hållbarhet och tillförlitlighet under transienter.

Hur kan jag säkerställa korrekt installation på kretskortet?

Det är viktigt att följa dimensionsspecifikationerna för SOT-223-paketet och att genomföra lämplig termisk hantering under installationen.