Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 826-9279
- Tillv. art.nr:
- BSP322PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
437,35 kr
(exkl. moms)
546,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 700 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 8,747 kr | 437,35 kr |
| 100 - 200 | 6,736 kr | 336,80 kr |
| 250 - 450 | 6,299 kr | 314,95 kr |
| 500 - 1200 | 5,86 kr | 293,00 kr |
| 1250 + | 5,421 kr | 271,05 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 826-9279
- Tillv. art.nr:
- BSP322PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 800mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.8W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.84V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.6mm | |
| Bredd | 3.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.5mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie SIPMOS | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 800mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.8W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.84V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.6mm | ||
Bredd 3.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.5mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 1,8 W maximal effektförlust – BSP322PH6327XTSA1
Denna MOSFET är en P-kanalförstärkningsenhet som är utformad för ytmonterad strömomkoppling i krävande miljöer. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för P-kanalsomkopplingsuppgifter med hög spänning där en kompakt kapslingsform och fordonsklassad robusthet krävs.
Funktioner och fördelar:
• 100 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• 800 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster under belastning
• Kontinuerlig dräneringsström på 1 A stöder låga till måttliga strömmar
• Maximal dissipation på 1.8 W möjliggör stabil strömhantering
• 12,4 nC typisk grindladdning ger förutsägbara krav på grinddrivning
• Maximal gate-källspänning på 20 V upprätthåller säker driftsmarginal
• 800 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster under belastning
• Kontinuerlig dräneringsström på 1 A stöder låga till måttliga strömmar
• Maximal dissipation på 1.8 W möjliggör stabil strömhantering
• 12,4 nC typisk grindladdning ger förutsägbara krav på grinddrivning
• Maximal gate-källspänning på 20 V upprätthåller säker driftsmarginal
Användningsområden
• Lämplig för lastväxling i fordonselektronikmoduler
• Idealisk för polaritetsskyddskretsar med hög spänning
• Används för strömhantering i batteridrivna system
• Kan användas för förebyggande av omvänd ström i DC-skenor
• Lämplig för kompakta ytmonterade effektomvandlingsstegar
• Idealisk för polaritetsskyddskretsar med hög spänning
• Används för strömhantering i batteridrivna system
• Kan användas för förebyggande av omvänd ström i DC-skenor
• Lämplig för kompakta ytmonterade effektomvandlingsstegar
Vilket temperaturområde kan den tolerera i fält?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket gör den lämplig för tuffa termiska miljöer.
Hur många stift och monteringsstil bör designers förvänta sig?
Enheten har fyra stift och är avsedd för ytmonterad montering i ett SOT-223-format.
Vilka elektriska egenskaper avgör omkopplingshastighetskraven?
Grindladdningen på 12.4 nC anger den laddning som krävs vid grinden och informerar om val av grinddrivare och driftstiming.
Vilka mekaniska inkapslingsmått är viktiga för layoutplanering?
Komponenten mäter 6,5 x 3,5 x 1,6 mm, vilket bidrar till att överväga fotavtryck och avstånd.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.17 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 2.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 430 mA 250 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 260 mA 250 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.8 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101