Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Få en mängdrabatt

Lägg till 100 till för att spara 22%

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

437,35 kr

(exkl. moms)

546,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 700 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
Besparing
50 - 508,747 kr437,35 kr-
100 - 2006,736 kr336,80 kr22%
250 - 4506,299 kr314,95 kr27%
500 - 12005,86 kr293,00 kr33%
1250 +5,421 kr271,05 kr38%

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
826-9279
Tillv. art.nr:
BSP322PH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

SOT-223

Serie

SIPMOS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

800mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

840mV

Maximal effektförlust Pd

1.8W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

12.4nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.5mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

3.5mm

Höjd

1.6mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 1,8 W maximal effektförlust – BSP322PH6327XTSA1


Denna MOSFET är en P-kanalförstärkningsenhet som är utformad för ytmonterad strömomkoppling i krävande miljöer. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för P-kanalsomkopplingsuppgifter med hög spänning där en kompakt kapslingsform och fordonsklassad robusthet krävs.

Funktioner och fördelar:


• 100 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• 800 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster under belastning
• Kontinuerlig dräneringsström på 1 A stöder låga till måttliga strömmar
• Maximal dissipation på 1.8 W möjliggör stabil strömhantering
• 12,4 nC typisk grindladdning ger förutsägbara krav på grinddrivning
• Maximal gate-källspänning på 20 V upprätthåller säker driftsmarginal

Användningsområden


• Lämplig för lastväxling i fordonselektronikmoduler
• Idealisk för polaritetsskyddskretsar med hög spänning
• Används för strömhantering i batteridrivna system
• Kan användas för förebyggande av omvänd ström i DC-skenor
• Lämplig för kompakta ytmonterade effektomvandlingsstegar

Vilket temperaturområde kan den tolerera i fält?


Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket gör den lämplig för tuffa termiska miljöer.

Hur många stift och monteringsstil bör designers förvänta sig?


Enheten har fyra stift och är avsedd för ytmonterad montering i ett SOT-223-format.

Vilka elektriska egenskaper avgör omkopplingshastighetskraven?


Grindladdningen på 12.4 nC anger den laddning som krävs vid grinden och informerar om val av grinddrivare och driftstiming.

Vilka mekaniska inkapslingsmått är viktiga för layoutplanering?


Komponenten mäter 6,5 x 3,5 x 1,6 mm, vilket bidrar till att överväga fotavtryck och avstånd.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.