Sök efter MPN

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 826-9250
Distrelec artikelnummer:: 304-44-412
Tillv. art.nr:: BSP170PH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

441,30 kr

(exkl. moms)

551,60 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 600 enhet(er) från den 12 oktober 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
50 - 50	8,826 kr	441,30 kr
100 - 200	6,53 kr	326,50 kr
250 - 450	6,088 kr	304,40 kr
500 - 1200	5,647 kr	282,35 kr
1250 +	5,295 kr	264,75 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 826-9250
Distrelec artikelnummer:: 304-44-412
Tillv. art.nr:: BSP170PH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	1.9A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	SIPMOS
	Kapseltyp	SOT-223
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	4
	Maximal drain-källresistans Rds	300mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	1.8W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	10nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Framåtriktad spänning Vf	-1.1V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	6.5mm
	Bredd	3.5mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	1.6mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.9A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie SIPMOS
	Kapseltyp SOT-223
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 4
	Maximal drain-källresistans Rds 300mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 1.8W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Framåtriktad spänning Vf -1.1V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 6.5mm
	Bredd 3.5mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 1.6mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

Infineon SIPMOS® MOSFETar med P-kanal

Anoden Infineon SIPMOS^® small Signals P-kanal-MOSFET:er har flera egenskaper som kan inkludera enhancement mode, kontinuerlig dräneringsström så låg som -80A samt ett brett driftstemperaturområde. SIPMOS Power-transistorn kan användas i en mängd olika applikationer, t.ex. telekom, eMobility, bärbara datorer, DC/DC-enheter samt inom fordonsindustrin.

- Kvalificerad enligt AEC Q101 (se datablad)

- Pb-fri blyplätering, RoHS-kompatibel

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.