STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 140 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F7
- RS-artikelnummer:
- 907-4766
- Tillv. art.nr:
- STL140N6F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
156,46 kr
(exkl. moms)
195,575 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 795 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 31,292 kr | 156,46 kr |
| 50 - 120 | 28,132 kr | 140,66 kr |
| 125 + | 23,062 kr | 115,31 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 907-4766
- Tillv. art.nr:
- STL140N6F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 140A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Serie | STripFET F7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 55nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 140A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Serie STripFET F7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 55nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 0.95mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals STripFET™ F7-serien, STMicroelectronics
STMicroelectronics STripFET™ F7-serie av lågspännings-MOSFET:er har lägre on-state-resistans, med minskad intern kapacitans och gate-laddning för snabbare och effektivare switchning.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 140 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 42 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F3 AEC-Q101