STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET F7

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
165-8231
Tillv. art.nr:
STB100N6F7
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TO-263

Serie

STripFET F7

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

5.6mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

125W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

12.6nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

9.35mm

Höjd

4.6mm

Längd

10.4mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanals STripFET™ F7-serien, STMicroelectronics


STMicroelectronics STripFET™ F7-serie av lågspännings-MOSFET:er har lägre on-state-resistans, med minskad intern kapacitans och gate-laddning för snabbare och effektivare switchning.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.