STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F7
- RS-artikelnummer:
- 906-2855
- Tillv. art.nr:
- STL90N6F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
155,12 kr
(exkl. moms)
193,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 670 enhet(er) från den 19 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 15,512 kr | 155,12 kr |
| 100 - 490 | 10,61 kr | 106,10 kr |
| 500 - 990 | 8,454 kr | 84,54 kr |
| 1000 - 2990 | 7,958 kr | 79,58 kr |
| 3000 + | 7,845 kr | 78,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 906-2855
- Tillv. art.nr:
- STL90N6F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 90A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Serie | STripFET F7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 94W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Längd | 5.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 90A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Serie STripFET F7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 94W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 0.95mm | ||
Längd 5.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanals STripFET™ F7-serien, STMicroelectronics
STMicroelectronics STripFET™ F7-serie av lågspännings-MOSFET:er har lägre on-state-resistans, med minskad intern kapacitans och gate-laddning för snabbare och effektivare switchning.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 140 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 42 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F3 AEC-Q101
