Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 906-4353
- Tillv. art.nr:
- IPB010N06NATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
160,72 kr
(exkl. moms)
200,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 80,36 kr | 160,72 kr |
| 20 - 98 | 68,545 kr | 137,09 kr |
| 100 - 198 | 59,415 kr | 118,83 kr |
| 200 - 498 | 56,17 kr | 112,34 kr |
| 500 + | 50,345 kr | 100,69 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 906-4353
- Tillv. art.nr:
- IPB010N06NATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 208nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.31mm | |
| Höjd | 9.45mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 208nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.31mm | ||
Höjd 9.45mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Undantagen
OptiMOSTM 5 60 V är optimerad för synkron likriktering i switchade nätaggregat (SMPS) som de som finns i servrar och stationära datorer och surfplattladdare. Dessutom är dessa enheter ett perfekt val för ett brett utbud av industriella tillämpningar, inklusive motorstyrning, solcellsmikroväxelriktare och snabbväxlande DC-DC-omvandlare.
Sammanfattning av funktioner
Fördelar
Potentiella tillämpningar
Infineon OptiMOSTM5 effekt-MOSFET-transistorer
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 120 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3