Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 906-4353
- Tillv. art.nr:
- IPB010N06NATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 20 till för att spara 236,30 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
160,72 kr
(exkl. moms)
200,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 80,36 kr | 160,72 kr | - |
| 20 - 98 | 68,545 kr | 137,09 kr | 236,30 kr |
| 100 - 198 | 59,415 kr | 118,83 kr | 2 094,50 kr |
| 200 - 498 | 56,17 kr | 112,34 kr | 4 838,00 kr |
| 500 + | 50,345 kr | 100,69 kr | 15 007,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 906-4353
- Tillv. art.nr:
- IPB010N06NATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 208nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.57mm | |
| Höjd | 9.45mm | |
| Längd | 10.31mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 208nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.57mm | ||
Höjd 9.45mm | ||
Längd 10.31mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Undantagen
Infineon OptiMOS 5-serien MOSFET, 60 V drain-källspänning, 180 A kontinuerlig drain-ström – IPB010N06NATMA1
Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet med hög strömstyrka som är utformad för strömomkoppling i ytmonterade tillämpningar. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och är lämplig för krävande elektriska miljöer där låga ledningsförluster och robust grindstyrning krävs.
Funktioner och fördelar:
• 60 V avtappningsklassning möjliggör medelspänningsomkopplingskapacitet
• 1.5 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster för vägar med hög ström
• 180 A kontinuerlig dräneringsström som stöder höga belastningskrav
• Maximal effektförlust på 300 W ger långvarig termisk belastning
• 208 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• 20 V maximal gate-källspänning skyddar grinddrivargränser
• 1.5 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster för vägar med hög ström
• 180 A kontinuerlig dräneringsström som stöder höga belastningskrav
• Maximal effektförlust på 300 W ger långvarig termisk belastning
• 208 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• 20 V maximal gate-källspänning skyddar grinddrivargränser
Användningsområden
• Lämplig för högströms-DC-DC-omvandlare i kraftsystem
• Idealisk för server- och telekommoduler för strömfördelning
• Används med motorstyrenheter som kräver strömbrytare med låg påslagningsresistans
• Kan användas för batterihantering och strömkonditionering
• Lämplig för allmänna effektsteg i industriell elektronik
• Idealisk för server- och telekommoduler för strömfördelning
• Används med motorstyrenheter som kräver strömbrytare med låg påslagningsresistans
• Kan användas för batterihantering och strömkonditionering
• Lämplig för allmänna effektsteg i industriell elektronik
Vilket temperaturområde tål enheten under drift?
Den fungerar över -55 °C till 175 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med både kallstart och hög värme.
Hur är den avsedd att monteras på ett kort?
Komponenten levereras i en TO-263-förpackning utformad för ytmontering och lödning.
Vilka överväganden om gate-drivning bör observeras?
Grinden får inte överstiga 20 V Vgs och den typiska grindladdningen på 208 nC bör beaktas vid dimensionering av drivrutiner för att uppfylla omkopplingshastighets- och förlustmål.
Vilken framåtvänd spänning är relevant under ledning av kropp-diod?
Den framåtriktade ledningsspänningen är cirka 1,2 V och bör inkluderas i beräkningarna av förluster för händelser med omvänd ström.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 120 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5