Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5

RS-artikelnummer:: 178-7445
Tillv. art.nr:: IPB010N06NATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

33 615,00 kr

(exkl. moms)

42 019,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 14 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
1000 +	33,615 kr	33 615,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 178-7445
Tillv. art.nr:: IPB010N06NATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	180A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	OptiMOS 5
	Kapseltyp	TO-263
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	7
	Maximal drain-källresistans Rds	1.5mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	208nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal effektförlust Pd	300W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Längd	10.31mm
	Höjd	9.45mm
	Bredd	4.57mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie OptiMOS 5
	Kapseltyp TO-263
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 7
	Maximal drain-källresistans Rds 1.5mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 208nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal effektförlust Pd 300W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Längd 10.31mm
	Höjd 9.45mm
	Bredd 4.57mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

IPB010N06N OptiMOS 3 Power Transistor

RoHS-status: Undantagen

OptiMOSTM 5 60 V är optimerad för synkron likriktering i switchade nätaggregat (SMPS) som de som finns i servrar och stationära datorer och surfplattladdare. Dessutom är dessa enheter ett perfekt val för ett brett utbud av industriella tillämpningar, inklusive motorstyrning, solcellsmikroväxelriktare och snabbväxlande DC-DC-omvandlare.

Sammanfattning av funktioner

Optimerad för synkron likriktare

_DS(på)

40 % förbättring av FOM jämfört med liknande enheter

RoHS-kompatibel - halogenfri

MSL1-klassad

Optimerad för synkron likriktare

100 % avalanche-testad

Överlägsen värmebeständighet

N-kanal, normal nivå

Godkänd enligt JEDEC1) för måltillämpningar

Blyfri plätering; RoHS-kompatibel

Halogenfri enligt IEC61249-2-21

Fördelar

Högsta systemeffektivitet

Färre parallellkoppling krävs

Ökad effekttäthet

Systemkostnadsreducering

Mycket låg spänningsöverskridning

Potentiella tillämpningar

Synkron utjämning

Solar mikroväxelriktare

Isolerade DC/DC-omvandlare

Motorstyrning för 12–48 V-system

Or-ing-omkopplare

Infineon OptiMOSTM5 effekt-MOSFET-transistorer

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.