Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 214-9009
- Tillv. art.nr:
- IPB024N10N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
248,64 kr
(exkl. moms)
310,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 145 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 49,728 kr | 248,64 kr |
| 10 - 20 | 44,778 kr | 223,89 kr |
| 25 - 45 | 41,776 kr | 208,88 kr |
| 50 - 120 | 38,796 kr | 193,98 kr |
| 125 + | 36,288 kr | 181,44 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9009
- Tillv. art.nr:
- IPB024N10N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 100 V effekt-MOSFET är speciellt utformad för synkron likriktelse i telekomblock inklusive Or-ing, hot-swap och batteriskydd samt för serverströmförsörjningstillämpningar. Enheten har en lägre RDS(on) på 22 % jämfört med liknande enheter, en av de största bidragsgivarna till denna branschledande FOM är det låga motståndet i påläge som ger den högsta nivån av effekttäthet och effektivitet.
100 % avalanche-testade
Kvalificerad enligt JEDEC för måltillämpningar
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 120 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5