Infineon N Kanal, MOSFET, 25 A 250 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3

RS-artikelnummer:: 906-4303
Tillv. art.nr:: BSC600N25NS3GATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 25 A 250 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

156,44 kr

(exkl. moms)

195,55 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

4 500 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 +	31,288 kr	156,44 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 906-4303
Tillv. art.nr:: BSC600N25NS3GATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	25A
	Maximal källspänning för dränering Vds	250V
	Serie	OptiMOS 3
	Kapseltyp	TDSON
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	60mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	22nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal effektförlust Pd	125W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	6.1mm
	Bredd	5.35mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	1.1mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A
	Maximal källspänning för dränering Vds 250V
	Serie OptiMOS 3
	Kapseltyp TDSON
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 60mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal effektförlust Pd 125W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 6.1mm
	Bredd 5.35mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 1.1mm
	Fordonsstandard Nej

RoHS-status: Undantagen

Infineon OptiMOS 3-serien MOSFET, 250 V drain-källspänning, 25 A kontinuerlig drain-ström – BSC600N25NS3GATMA1

Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för strömomkoppling i ytmonterade tillämpningar. Den fungerar över ett utökat termiskt område och är lämplig för kretsar som kräver robust hantering av dränerings-till-källspänning och måttlig kontinuerlig ström. Enheten levereras i ett 8-stifts TDSON-paket för kompakt integrering på kortnivå.

Funktioner och fördelar:

• 250 V avtappningsspänning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 25 A kontinuerlig ström stöder betydande belastningshantering
• 60 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under drift
• 22 nC typisk grindladdning möjliggör responsiv omkopplingsprestanda
• Maximal effektförlust på 125 W möjliggör ökad termisk belastning

Användningsområden

• Lämplig för högspännings-DC-DC-omvandlare på strömförsörjningskort
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används med motordrivningssteg som kräver 25 A-hantering
• Kan användas för switchade nätaggregat med snäva fotavtryck
• Lämplig för industriella omkopplingskretsar som utsätts för extrema temperaturer

Vilka gränsspänningsgränser bör observeras under designen?

Gate-källspänningen får inte överstiga 20 V för att förhindra gate-oxidbelastning och säkerställa enhetens tillförlitlighet.

Hur påverkar kanaltypen valet av kretstopologi?

Som en N‐kanalförstärkningsenhet placeras den vanligtvis på den låga sidan av switchar eller används i synkrona topologier för förbättrad effektivitet.

Vilken termisk miljö kan den tolerera under drift?

Komponenten fungerar från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i installationer med breda temperaturer där omgivningsförhållandena varierar.

Vilka överväganden för montering av paketet rekommenderas?

TDSON-format för ytmontering kräver lämpliga värmedynor och lödprofiler för kretskort för att hantera värmeavledning och mekanisk stabilitet.