Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 171-1961
- Tillv. art.nr:
- BSC014N04LSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
135,74 kr
(exkl. moms)
169,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 970 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 13,574 kr | 135,74 kr |
| 50 - 90 | 10,976 kr | 109,76 kr |
| 100 - 240 | 10,293 kr | 102,93 kr |
| 250 - 490 | 9,621 kr | 96,21 kr |
| 500 + | 8,949 kr | 89,49 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 171-1961
- Tillv. art.nr:
- BSC014N04LSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 61nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 96W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 5.15mm | |
| Bredd | 6.15mm | |
| Standarder/godkännanden | J-STD20 and JESD22 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 61nC | ||
Maximal effektförlust Pd 96W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 5.15mm | ||
Bredd 6.15mm | ||
Standarder/godkännanden J-STD20 and JESD22 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 40 V maximal drain-källspänning, 100 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC014N04LSATMA1
Denna MOSFET är en högströms switchtransistor med N-kanal som är utformad för ytmonterade strömtillämpningar. Den fungerar över ett brett temperaturområde, stöder betydande kontinuerliga dräneringsströmmar och är avsedd för kompakt strömomvandling och högeffektiva omkopplingsuppgifter i industriella elektroniska system.
Funktioner och fördelar:
• 1.4 mΩ låg Rds(on) minskar ledningsförluster
• Kontinuerlig dräneringsström på 100 A möjliggör hantering av hög ström
• 40 V drain-source-klassning möjliggör mellanspänningseffektsteg
• 61 nC typisk grindladdning stöder snabb omkopplingsprestanda
• Maximal effektförlust på 96 W möjliggör betydande termisk belastning
• 20 V maximal gate-källspänning för robust gate-drivning
• Kontinuerlig dräneringsström på 100 A möjliggör hantering av hög ström
• 40 V drain-source-klassning möjliggör mellanspänningseffektsteg
• 61 nC typisk grindladdning stöder snabb omkopplingsprestanda
• Maximal effektförlust på 96 W möjliggör betydande termisk belastning
• 20 V maximal gate-källspänning för robust gate-drivning
Användningsområden
• Lämplig för DC/DC-omvandlarens primära och sekundära steg
• Idealisk för kraftskenor med hög strömstyrka i industriell utrustning
• Används med synkrona buck-omvandlare för effektiv omkoppling
• Kan användas för halvbryggmoduler för motordrivare
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömförsörjningsenheter
• Idealisk för kraftskenor med hög strömstyrka i industriell utrustning
• Används med synkrona buck-omvandlare för effektiv omkoppling
• Kan användas för halvbryggmoduler för motordrivare
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömförsörjningsenheter
Vilket paket och monteringsmetod använder den?
Den levereras i en 8-stifts TDSON-kapsel och är avsedd för ytmontering på ett kort.
Hur klarar den av utökade temperaturområden?
Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i krävande termiska miljöer.
Vilka begränsningar för grinddrivning bör konstruktörer observera?
Enheten tillåter en maximal gate-källspänning på 20 V, så gate-drivare måste förbli inom denna gräns.
Vilken elektrisk polaritet och kanalbeteende följer den?
Det är en N-kanal-enhet med förstärkningsläge och kräver positiv grindstyrning för att leda.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 275 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 49 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5