Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 171-1961
- Tillv. art.nr:
- BSC014N04LSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
135,74 kr
(exkl. moms)
169,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 5 000 enhet(er) levereras från den 19 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 13,574 kr | 135,74 kr |
| 50 - 90 | 10,976 kr | 109,76 kr |
| 100 - 240 | 10,293 kr | 102,93 kr |
| 250 - 490 | 9,621 kr | 96,21 kr |
| 500 + | 8,949 kr | 89,49 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 171-1961
- Tillv. art.nr:
- BSC014N04LSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 61nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 96W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 5.15mm | |
| Standarder/godkännanden | J-STD20 and JESD22 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 61nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 96W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 5.15mm | ||
Standarder/godkännanden J-STD20 and JESD22 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon BSC014N04LS är optiMOS effekt-MOSFET med PG-TDSON-8-pakettyp. Den har perfekt omkopplingsbeteende för snabba omkopplingstillämpningar.
Mycket låg på-motstånd RDS(on)
100 % avalanche-testade
Överlägsen värmebeständighet
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 275 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 49 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™