Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 275 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 214-8969
- Tillv. art.nr:
- BSC010N04LSIATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
51 780,00 kr
(exkl. moms)
64 725,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 10,356 kr | 51 780,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-8969
- Tillv. art.nr:
- BSC010N04LSIATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 275A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.05mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 139W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.7V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 87nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.35mm | |
| Höjd | 1.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 275A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.05mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 139W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.7V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 87nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.35mm | ||
Höjd 1.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon New 40V and 60V product families, feature not only the industrys lowest R DS(on) but also a perfect switching behaviour for fast switching applications. 15% lower R DS(on) and 31% lower figure of merit (R DS(on) x Q g) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology. OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements.
Monolithic integrated Schottky-like diode
Optimized for synchronous rectification
100% avalanche tested
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 275 A 40 V Förbättring TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 275 A 60 V Förbättring PG-TDSON-8 FL, OptiMOS-TM5
- Infineon Typ N Kanal 13 A 34 V Förbättring TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 147 A 25 V Förbättring TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 46 A 60 V Förbättring TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 100 A 40 V Förbättring TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 100 A 30 V Förbättring TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 100 A 25 V Förbättring TDSON, OptiMOS
