Infineon N Kanal, MOSFET, 25 A 250 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3

RS-artikelnummer:: 178-7486
Tillv. art.nr:: BSC600N25NS3GATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 25 A 250 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

79 105,00 kr

(exkl. moms)

98 880,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 14 oktober 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	15,821 kr	79 105,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 178-7486
Tillv. art.nr:: BSC600N25NS3GATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	25A
	Maximal källspänning för dränering Vds	250V
	Serie	OptiMOS 3
	Kapseltyp	TDSON
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	60mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	22nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Maximal effektförlust Pd	125W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.1mm
	Längd	6.1mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	5.35mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A
	Maximal källspänning för dränering Vds 250V
	Serie OptiMOS 3
	Kapseltyp TDSON
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 60mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Maximal effektförlust Pd 125W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.1mm
	Längd 6.1mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 5.35mm
	Fordonsstandard Nej

BSC600N25NS3 G OptiMOS 3 Power-Transistor

RoHS-status: Undantagen

Infineon OptiMOS 3-serien MOSFET, 250 V drain-källspänning, 25 A kontinuerlig drain-ström – BSC600N25NS3GATMA1

Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för strömomkoppling i ytmonterade tillämpningar. Den fungerar över ett utökat termiskt område och är lämplig för kretsar som kräver robust hantering av dränerings-till-källspänning och måttlig kontinuerlig ström. Enheten levereras i ett 8-stifts TDSON-paket för kompakt integrering på kortnivå.

Funktioner och fördelar:

• 250 V avtappningsspänning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 25 A kontinuerlig ström stöder betydande belastningshantering
• 60 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under drift
• 22 nC typisk grindladdning möjliggör responsiv omkopplingsprestanda
• Maximal effektförlust på 125 W möjliggör ökad termisk belastning

Användningsområden

• Lämplig för högspännings-DC-DC-omvandlare på strömförsörjningskort
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används med motordrivningssteg som kräver 25 A-hantering
• Kan användas för switchade nätaggregat med snäva fotavtryck
• Lämplig för industriella omkopplingskretsar som utsätts för extrema temperaturer

Vilka gränsspänningsgränser bör observeras under designen?

Gate-källspänningen får inte överstiga 20 V för att förhindra gate-oxidbelastning och säkerställa enhetens tillförlitlighet.

Hur påverkar kanaltypen valet av kretstopologi?

Som en N‐kanalförstärkningsenhet placeras den vanligtvis på den låga sidan av switchar eller används i synkrona topologier för förbättrad effektivitet.

Vilken termisk miljö kan den tolerera under drift?

Komponenten fungerar från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i installationer med breda temperaturer där omgivningsförhållandena varierar.

Vilka överväganden för montering av paketet rekommenderas?

TDSON-format för ytmontering kräver lämpliga värmedynor och lödprofiler för kretskort för att hantera värmeavledning och mekanisk stabilitet.