Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

RS-artikelnummer:: 110-9115
Tillv. art.nr:: BSC097N06NSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

67,20 kr

(exkl. moms)

84,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

4 375 enhet(er) levereras från den 10 december 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
25 +	2,688 kr	67,20 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 110-9115
Tillv. art.nr:: BSC097N06NSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	46A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	OptiMOS
	Kapseltyp	TDSON
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	14.6mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	36W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20, +20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	12nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.1mm
	Längd	5.35mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	6.1mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 46A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie OptiMOS
	Kapseltyp TDSON
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 14.6mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 36W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.1mm
	Längd 5.35mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 6.1mm
	Fordonsstandard Nej

RoHS-status: Inte relevant

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 60 V drain-källspänning, 46 A kontinuerlig drain-ström – BSC097N06NSATMA1

Denna MOSFET är en effekttransistor som är utformad för omkoppling och förstärkning i kretsar med hög ström och låg spänning. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och levereras i ett kompakt ytmonterat paket som är lämpligt för täta kortlayouter. Enheten är avsedd för krävande elektroniska monteringar där effektiv ledning och grindstyrning krävs.

Funktioner och fördelar:

• Maximal drain-källspänning 60 V möjliggör robust omkoppling vid låg spänning
• Kontinuerlig dräneringsström på 46 A stöder hantering av högströmsbelastning
• Låg RDS(on) på 14,6 mΩ minskar ledningsförluster i strömkanaler
• Maximal effektförlust på 36 W möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• Typisk grindladdning 12 nC ger snabba grindövergångar
• Gate-source-tolerans 20 V möjliggör flexibla drivspänningar

Användningsområden

• Lämplig för synkrona buck-regulatorsteg
• Idealisk för motordrivna halvbryggskretsar
• Används med DC/DC-omvandlare i serverströmförsörjningar
• Kan användas för batterihantering och strömfördelning
• Lämpligt för högströmsväxling vid belastningspunkt

Vilken termisk miljö tål den under drift?

Den är klassad för drift mellan -55 °C och 150 °C, vilket möjliggör användning i industriella och förhöjda temperaturer.

Vilket paket och vilken monteringsmetod finns för montering på kretskort?

Komponenten levereras i en TDSON-förpackning och är utformad för ytmontering för att underlätta automatiserad montering.

Vilken kanaltyp och vilket läge implementeras för omkopplingsbeteende?

Enheten använder en N-kanalförstärkningslägetopologi som är lämplig för switchning på låg- och hög sida när den drivs på lämpligt sätt.

Hur många elektriska anslutningar har enheten till en krets?

Den har en 8-stiftskonfiguration för att rymma grind-, dränerings- och källanslutningar och värmeledningsvägar.