Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 906-4296
- Tillv. art.nr:
- BSC028N06NSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
219,07 kr
(exkl. moms)
273,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 930 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 21,907 kr | 219,07 kr |
| 50 - 90 | 20,832 kr | 208,32 kr |
| 100 - 240 | 19,936 kr | 199,36 kr |
| 250 - 490 | 19,062 kr | 190,62 kr |
| 500 + | 17,741 kr | 177,41 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 906-4296
- Tillv. art.nr:
- BSC028N06NSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 37nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 83W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 6.1mm | |
| Standarder/godkännanden | Pb Free, Halogen Free (IEC61249-2-21), JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS | |
| Bredd | 5.35mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 83W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 6.1mm | ||
Standarder/godkännanden Pb Free, Halogen Free (IEC61249-2-21), JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS | ||
Bredd 5.35mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Undantagen
Infineon OptiMOSTM 5-serien MOSFET, 137 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 100 W maximal effektförlust - BSC028N06NSATMA1
Denna högeffekts MOSFET är lämplig för tillämpningar där effektivitet och tillförlitlighet är avgörande. Med en maximal kontinuerlig dräneringsström på 137 A och en brytspänning på 60 V är den väl lämpad för strömhanteringssystem, vilket gör den till ett utmärkt val för proffs inom automation och elektronik. Dess förbättrade gate-tröskelspänningsområde främjar exakta omkopplingsprestanda, vilket säkerställer effektiv drift i olika miljöer.
Funktioner & fördelar
• Stöder högeffektstillämpningar med en maximal effektförlust på 100 W
• Låg RDS(on) på 4,2 mΩ för förbättrad effektivitet
• N-kanalkonfiguration för förbättrad prestanda
• TDSON-paket för effektiv värmehantering
• Minsta drifttemperatur på -55 °C, idealisk för extrema förhållanden
• Avalanche-klassad för hållbarhet under transientförhållanden
Användningsområden
• Används i synkrona likriktningskretsar för strömförsörjningar
• Lämpligt för elfordon och industriell automation
• Används i switchade nätaggregat för effektiv energiomvandling
• Används i UPS-system för tillförlitliga backup-lösningar
• Lämplig för DC-DC-omvandlare och växelriktare i förnybara energisystem
Vilket är det lämpliga temperaturområdet för drift?
Den fungerar effektivt inom ett temperaturområde på -55 °C till +150 °C, vilket passar olika miljöförhållanden.
Hur hanterar denna komponent termisk hantering?
Enhetens TDSON-kapsel optimerar värmebeständigheten, vilket säkerställer effektiv värmeavledning under drift.
Vilken grindspänning krävs för optimal prestanda?
Den maximala gate-källspänningen är ±20 V, medan gate-tröskelspänningen varierar från 2,1 V till 3,3 V, vilket underlättar effektiva drivförhållanden.
Kan den användas i högfrekvensomkopplingstillämpningar?
Ja, den är utformad med dynamiska egenskaper som stöder högfrekvent omkoppling, vilket gör den lämplig för moderna elektroniska konstruktioner.
Vilka skyddsåtgärder finns på plats mot elektrisk överspänning?
Den är validerad för industriella tillämpningar och helt avalanchetestad, vilket ger säkerhet mot transienter i elektrisk efterfrågan.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 137 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-TM5