Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5

RS-artikelnummer:: 178-7497
Tillv. art.nr:: BSZ042N06NSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5

Antal (5000 enheter, på en rulle med 5000)*

27 960,00 kr

(exkl. moms)

34 950,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 29 september 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	5,592 kr	27 960,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 178-7497
Tillv. art.nr:: BSZ042N06NSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	40A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	OptiMOS 5
	Kapseltyp	TDSON
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	6.3mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	27nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	69W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.1mm
	Längd	3.4mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	3.4mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie OptiMOS 5
	Kapseltyp TDSON
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 6.3mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 27nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 69W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.1mm
	Längd 3.4mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 3.4mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

RoHS-status: Undantagen

Infineon OptiMOS 5-serien MOSFET, 60 V drain-källspänning, 40 A kontinuerlig drain-ström – BSZ042N06NSATMA1

Denna MOSFET är en förstärkningsenhet med kisel-N-kanal avsedd för högeffektsomkoppling i ytmonteringstillämpningar. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är utformad för att hantera betydande strömmar och spänningar som är typiska för effektomvandling och omkopplingsfaser. Komponenten levereras i en TDSON-kapsel med låg profil som är lämplig för kompakta enheter där termiska och elektriska prestanda krävs.

Funktioner och fördelar:

• 60 V avtappningsklassning möjliggör robust omkoppling vid mellanspänning
• 40 A kontinuerlig strömkapacitet stöder kretsar med hög belastning
• Låg Rds(on) på 6.3 mΩ minskar ledningsförlusterna
• 27 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare grindövergångar
• 69 W effektförlust möjliggör hållbar effekthantering

Användningsområden

• Lämplig för synkrona buck-omvandlarsteg
• Idealisk för halvbrygga för motordrivare
• Används med DC-DC-strömförsörjningsmoduler i servernät
• Kan användas för batterihantering och laddningskretsar

Vilka överväganden om grinddrivning bör jag ta hänsyn till?

Den typiska grindladdningen på 27 nC vid den angivna grindspänningen kräver en drivare som kan generera och sänka tillräckligt med toppström för att uppnå önskad omkopplingshastighet utan överdrivna övergångsförluster.

Hur påverkar förpackningen den termiska prestandan?

TDSON 8-stiftslayouten ger en bana med låg termisk resistans till kretskortet, vilket möjliggör effektiv värmeöverföring när den används med lämplig kopparyta och termiska ledningar för ökad strömförlust.

Vilket temperaturområde kan den tolerera under drift?

Den är klassad för att fungera över ett brett driftstemperaturfönster från djup kalla till höga temperaturer, vilket passar konstruktioner som utsätts för extrema förhållanden.

Hur påverkas omkopplingens beteende av enhetens egenskaper?

Kombinationen av låg påslagningsresistans och måttlig grindladdning balanserar låga ledningsförluster med kontrollerbara omkopplingsövergångar, vilket gör den lämplig för effektivitetsfokuserade effektsteg.