Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 754-5241
- Tillv. art.nr:
- BSC028N06LS3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
69,89 kr
(exkl. moms)
87,362 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 332 enhet(er) levereras från den 28 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 34,945 kr | 69,89 kr |
| 20 - 48 | 31,695 kr | 63,39 kr |
| 50 - 98 | 29,68 kr | 59,36 kr |
| 100 - 198 | 27,665 kr | 55,33 kr |
| 200 + | 17,47 kr | 34,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 754-5241
- Tillv. art.nr:
- BSC028N06LS3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 132nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 139W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 5.35mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 132nC | ||
Maximal effektförlust Pd 139W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 5.35mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 till 80V
OptiMOS™-produkterna finns i högpresterande paket för att klara de mest utmanande applikationerna och ger full flexibilitet i begränsade utrymmen. Dessa Infineon-produkter är utformade för att uppfylla och överträffa kraven på energieffektivitet och effekttäthet i nästa generations skärpta standarder för spänningsreglering i datortillämpningar.
Snabbswitchande MOSFET för SMPS
Optimerad teknik för DC/DC-omvandlare
Kvalificerad enligt JEDEC1) för målapplikationer
N-kanal, logisk nivå
Utmärkt grindladdning x R DS(on)-produkt (FOM)
Mycket låg på-resistans R DS(on)
Pb-fri plätering
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 137 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-TM5