Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5

RS-artikelnummer:: 178-7485
Tillv. art.nr:: BSC028N06NSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

50 510,00 kr

(exkl. moms)

63 140,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 30 september 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	10,102 kr	50 510,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 178-7485
Tillv. art.nr:: BSC028N06NSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	100A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Kapseltyp	TDSON
	Serie	OptiMOS 5
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	2.8mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal effektförlust Pd	83W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	37nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	5.35mm
	Längd	6.1mm
	Standarder/godkännanden	Pb Free, Halogen Free (IEC61249-2-21), JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS
	Höjd	1.1mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Kapseltyp TDSON
	Serie OptiMOS 5
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 2.8mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal effektförlust Pd 83W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 5.35mm
	Längd 6.1mm
	Standarder/godkännanden Pb Free, Halogen Free (IEC61249-2-21), JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS
	Höjd 1.1mm
	Fordonsstandard Nej

BSC028N06NS OptiMOS Power-Transistor

RoHS-status: Undantagen

Infineon OptiMOSTM 5-serien MOSFET, 137 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 100 W maximal effektförlust - BSC028N06NSATMA1

Denna högeffekts MOSFET är lämplig för tillämpningar där effektivitet och tillförlitlighet är avgörande. Med en maximal kontinuerlig dräneringsström på 137 A och en brytspänning på 60 V är den väl lämpad för strömhanteringssystem, vilket gör den till ett utmärkt val för proffs inom automation och elektronik. Dess förbättrade gate-tröskelspänningsområde främjar exakta omkopplingsprestanda, vilket säkerställer effektiv drift i olika miljöer.

Funktioner & fördelar

• Stöder högeffektstillämpningar med en maximal effektförlust på 100 W

• Låg RDS(on) på 4,2 mΩ för förbättrad effektivitet

• N-kanalkonfiguration för förbättrad prestanda

• TDSON-paket för effektiv värmehantering

• Minsta drifttemperatur på -55 °C, idealisk för extrema förhållanden

• Avalanche-klassad för hållbarhet under transientförhållanden

Användningsområden

• Används i synkrona likriktningskretsar för strömförsörjningar

• Lämpligt för elfordon och industriell automation

• Används i switchade nätaggregat för effektiv energiomvandling

• Används i UPS-system för tillförlitliga backup-lösningar

• Lämplig för DC-DC-omvandlare och växelriktare i förnybara energisystem

Vilket är det lämpliga temperaturområdet för drift?

Den fungerar effektivt inom ett temperaturområde på -55 °C till +150 °C, vilket passar olika miljöförhållanden.

Hur hanterar denna komponent termisk hantering?

Enhetens TDSON-kapsel optimerar värmebeständigheten, vilket säkerställer effektiv värmeavledning under drift.

Vilken grindspänning krävs för optimal prestanda?

Den maximala gate-källspänningen är ±20 V, medan gate-tröskelspänningen varierar från 2,1 V till 3,3 V, vilket underlättar effektiva drivförhållanden.

Kan den användas i högfrekvensomkopplingstillämpningar?

Ja, den är utformad med dynamiska egenskaper som stöder högfrekvent omkoppling, vilket gör den lämplig för moderna elektroniska konstruktioner.

Vilka skyddsåtgärder finns på plats mot elektrisk överspänning?

Den är validerad för industriella tillämpningar och helt avalanchetestad, vilket ger säkerhet mot transienter i elektrisk efterfrågan.