Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DTMOSIV
- RS-artikelnummer:
- 896-2366
- Tillv. art.nr:
- TK39A60W,S4VX(M
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
51,07 kr
(exkl. moms)
63,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 59 enhet(er) från den 01 juni 2026
- Dessutom levereras 36 enhet(er) från den 01 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 51,07 kr |
| 5 - 9 | 37,41 kr |
| 10 - 24 | 36,51 kr |
| 25 - 49 | 35,39 kr |
| 50 + | 34,72 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 896-2366
- Tillv. art.nr:
- TK39A60W,S4VX(M
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 39A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 110nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.7V | |
| Maximal effektförlust Pd | 50W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 39A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie DTMOSIV | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 110nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.7V | ||
Maximal effektförlust Pd 50W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
MOSFET N-kanal, TK3x-serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterade länkar
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 9.7 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 15.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 30.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 15.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 11.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DTMOSIV