Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DTMOSIV
- RS-artikelnummer:
- 891-2954
- Tillv. art.nr:
- TK31A60W,S4VX(M
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Tillfälligt slut
- RS-artikelnummer:
- 891-2954
- Tillv. art.nr:
- TK31A60W,S4VX(M
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 31A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 88mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 86nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 45W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.7V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.5mm | |
| Längd | 10mm | |
| Höjd | 15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 31A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie DTMOSIV | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 88mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 86nC | ||
Maximal effektförlust Pd 45W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.7V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.5mm | ||
Längd 10mm | ||
Höjd 15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
MOSFET N-kanal, TK3x-serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterade länkar
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 9.7 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 30.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 15.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 15.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK