Sök efter MPN

Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, DTMOSIV

RS-artikelnummer:: 896-2363
Tillv. art.nr:: TK39J60W5,S1VQ(O
Tillverkare / varumärke:: Toshiba

Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, DTMOSIV

Tillfälligt slut

RS-artikelnummer:: 896-2363
Tillv. art.nr:: TK39J60W5,S1VQ(O
Tillverkare / varumärke:: Toshiba

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Toshiba
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	39A
	Maximal källspänning för dränering Vds	600V
	Serie	DTMOSIV
	Kapseltyp	TO-3PN
	Fästetyp	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	74mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30 V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	135nC
	Maximal effektförlust Pd	270W
	Framåtriktad spänning Vf	-1.7V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	15.5mm
	Höjd	20mm
	Bredd	4.5 mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Toshiba
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 39A
	Maximal källspänning för dränering Vds 600V
	Serie DTMOSIV
	Kapseltyp TO-3PN
	Fästetyp Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 74mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30 V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 135nC
	Maximal effektförlust Pd 270W
	Framåtriktad spänning Vf -1.7V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Längd 15.5mm
	Höjd 20mm
	Bredd 4.5 mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: JP

Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, DTMOSIV

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET-transistorer, Toshiba

Relaterade länkar