Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, DTMOSIV
- RS-artikelnummer:
- 896-2363
- Tillv. art.nr:
- TK39J60W5,S1VQ(O
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Tillfälligt slut
- RS-artikelnummer:
- 896-2363
- Tillv. art.nr:
- TK39J60W5,S1VQ(O
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 39A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-3PN | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 74mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 135nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 270W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.7V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 15.5mm | |
| Höjd | 20mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 39A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-3PN | ||
Serie DTMOSIV | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 74mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 135nC | ||
Maximal effektförlust Pd 270W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.7V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 15.5mm | ||
Höjd 20mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- JP
MOSFET N-kanal, TK3x-serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterade länkar
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 15.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3P, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 11.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 11.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DTMOSIV