Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 11.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, TK

Se alla MOSFET-transistor
Tillfälligt slut
RS-artikelnummer:
891-2881
Tillv. art.nr:
TK12J60W,S1VQ(O
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

11.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

TK

Kapseltyp

TO-3PN

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.3Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.7V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

25nC

Maximal effektförlust Pd

110W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

20mm

Längd

15.5mm

Fordonsstandard

Nej

MOSFET-transistorer, Toshiba


Relaterade länkar