Toshiba N Kanal, MOSFET, 11.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, TK
- RS-artikelnummer:
- 891-2881
- Tillv. art.nr:
- TK12J60W,S1VQ(O
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Tillfälligt slut
- RS-artikelnummer:
- 891-2881
- Tillv. art.nr:
- TK12J60W,S1VQ(O
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | TK | |
| Kapseltyp | TO-3PN | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.3Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.7V | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.5mm | |
| Längd | 15.5mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 20mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie TK | ||
Kapseltyp TO-3PN | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.3Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.7V | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.5mm | ||
Längd 15.5mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 20mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- JP
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterade länkar
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, DTMOSIV
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, DTMOSIV
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3P, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 11.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 9 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 15.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3P, DTMOSIV
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK