Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, DTMOSIV

Tillfälligt slut
RS-artikelnummer:
896-2331
Tillv. art.nr:
TK31J60W5,S1VQ(O
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

31A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-3PN

Serie

DTMOSIV

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

99mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

105nC

Maximal effektförlust Pd

230W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Framåtriktad spänning Vf

-1.7V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

15.5mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.5 mm

Höjd

20mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
JP

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba


MOSFET-transistorer, Toshiba


Relaterade länkar