Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 892-2377
- Tillv. art.nr:
- BSS314PEH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 100 enheter)*
168,20 kr
(exkl. moms)
210,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 900 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 1,682 kr | 168,20 kr |
| 500 - 900 | 1,598 kr | 159,80 kr |
| 1000 - 2400 | 1,531 kr | 153,10 kr |
| 2500 - 4900 | 1,464 kr | 146,40 kr |
| 5000 + | 0,926 kr | 92,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 892-2377
- Tillv. art.nr:
- BSS314PEH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 230mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 500mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.9mm | |
| Höjd | 1.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 0.1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie OptiMOS P | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 230mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Maximal effektförlust Pd 500mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.9mm | ||
Höjd 1.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 0.1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS P-serien MOSFET, 30 V maximal drain-källspänning, 1,5 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSS314PEH6327XTSA1
Denna p-kanals MOSFET fungerar som en kompakt ytmonterad omkopplingsenhet för lågspänningseffektsstyrning inom fordons- och industriell elektronik. Den är utformad för drift i förstärkningsläge och erbjuder kontrollerad ledning för strömvägs- och belastningsomkopplingsuppgifter över ett brett temperaturområde, vilket gör den lämplig för krävande termiska miljöer.
Funktioner och fördelar:
• Drain-kapacitet på 30 V möjliggör omkoppling av system med låg spänning
• 230 mΩ Rds(on) ger effektiv ledning för små laster
• Kontinuerlig dräneringsström på 1.5 A stöder måttliga strömbanor
• 2,9 nC typisk grindladdning minskar omkopplingsenergiförluster
• Maximalt 20 V gate-source-klassning möjliggör flexibla gate-drivenhetsmarginaler
• AEC-Q101-kvalificering för fordonsindustrin passar fordonstillämpningar
• 230 mΩ Rds(on) ger effektiv ledning för små laster
• Kontinuerlig dräneringsström på 1.5 A stöder måttliga strömbanor
• 2,9 nC typisk grindladdning minskar omkopplingsenergiförluster
• Maximalt 20 V gate-source-klassning möjliggör flexibla gate-drivenhetsmarginaler
• AEC-Q101-kvalificering för fordonsindustrin passar fordonstillämpningar
Användningsområden
• Lämplig för batterihantering och skyddskretsar
• Idealisk för lastväxling i fordonsstyrmoduler
• Används med strömskenor i handhållen och bärbar elektronik
• Kan användas för småsignalsströmomkoppling i sensornoder
• Lämpligt för ytmonterade konstruktioner där kortutrymmet är begränsat
• Idealisk för lastväxling i fordonsstyrmoduler
• Används med strömskenor i handhållen och bärbar elektronik
• Kan användas för småsignalsströmomkoppling i sensornoder
• Lämpligt för ytmonterade konstruktioner där kortutrymmet är begränsat
Vilka termiska extremer tål den under drift?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med stora temperaturvariationer.
Hur påverkar paketet integreringen på kortnivå?
SOT-23-format för ytmontering möjliggör kompakt placering och automatiserad montering på tätt belägna kort.
Vilka strömhanteringsbegränsningar bör konstruktörer ta hänsyn till?
Enheten dissiperar upp till 500 mW, så tillräcklig koppar för kretskort och termisk layout krävs för att hantera kopplingstemperaturen under kontinuerlig belastning.
Vilken elektrisk gräns styr valet av grinddrivare?
Driftspänningen måste ligga inom ±20 V i förhållande till källan för att undvika grindöverspänning och säkerställa tillförlitlig omkoppling.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.18 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 540 mA 55 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101