Infineon N Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 827-0096
Tillv. art.nr:: BSS806NH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101

Antal (1 rulle med 250 enheter)*

641,25 kr

(exkl. moms)

801,50 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

6 750 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
250 +	2,565 kr	641,25 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 827-0096
Tillv. art.nr:: BSS806NH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	2.3A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Kapseltyp	SOT-23
	Serie	OptiMOS 2
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	82mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	1.7nC
	Maximal effektförlust Pd	500mW
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-8, +8V
	Framåtriktad spänning Vf	0.82V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	1.3mm
	Höjd	1mm
	Längd	2.9mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.3A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Kapseltyp SOT-23
	Serie OptiMOS 2
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 82mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.7nC
	Maximal effektförlust Pd 500mW
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -8, +8V
	Framåtriktad spänning Vf 0.82V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 1.3mm
	Höjd 1mm
	Längd 2.9mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

Infineon OptiMOSTM 2-serien MOSFET, 2,3 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 500 mW maximal effektförlust - BSS806NH6327XTSA1

Denna MOSFET är skräddarsydd för effektiv strömhantering i olika elektroniska tillämpningar, med stöd för en maximal kontinuerlig dräneringsström på 2,3 A och en maximal dräneringskällspänning på 20 V. Dess låga resistansfunktioner bidrar till att minimera energiförluster, vilket gör den lämplig för tillämpningar som kräver en hög nivå av förtroende under stränga förhållanden.

Funktioner & fördelar

• N-kanalkonfigurationen förbättrar omkopplingsprestanda

• Förbättringsläge minskar läckage i avstängt tillstånd

• Kompatibilitet med ultralogiknivå som är lämplig för 1,8 V-tillämpningar

• Integrerad avalanche-klassning förbättrar robustheten under påfrestning

• AEC-Q101-kvalificerad för fordonstillämpningar säkerställer långvarig prestanda

• Ytmonterad design möjliggör enkel integrering i kompakta kretsar

Användningsområden

• Idealisk för strömhantering inom fordonselektronik

• Används för att driva lågspänningslaster i automationssystem

• Lämplig för omkoppling nätaggregat

• Utformad för driftsmiljöer med hög temperatur

Kan den användas i fordonsapplikationer?

Ja, den är AEC-Q101-kvalificerad, vilket säkerställer dess lämplighet för fordonsmiljöer.

Vad är driftstemperaturområdet?

Drifttemperaturområdet är mellan -55 °C och +150 °C.

Hur påverkar dess RDS(on)-värde kretsprestanda?

Ett lågt RDS(on)-värde minskar effektförlusten under drift, vilket förbättrar den övergripande effektiviteten.

Vad är betydelsen av grindtröskelspänningen?

Gränsspänningen indikerar när MOSFET börjar ledning, vilket är avgörande för att styra omkopplartider.

Infineon OptiMOSTM2 Power MOSFET-serien

OptiMOSTM2OptiMOS 2

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.