IXYS N Kanal, MOSFET, 600 A 40 V Förbättring, 24 Ben, SMPD, GigaMOS, HiperFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 20 enheter)*

4 942,70 kr

(exkl. moms)

6 178,38 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 80 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
20 +247,135 kr4 942,70 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4791
Tillv. art.nr:
MMIX1T600N04T2
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

600A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

GigaMOS, HiperFET

Kapseltyp

SMPD

Typ av fäste

Yta

Antal ben

24

Maximal drain-källresistans Rds

1.3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

830W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

590nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

25.25mm

Höjd

5.7mm

Bredd

23.25mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
DE

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™-serie


MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.