IXYS N Kanal, MOSFET, 420 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, GigaMOS Trench HiperFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (10 enheter, i ett rör med 10)*

3 096,69 kr

(exkl. moms)

3 870,86 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 560 enhet(er) levereras från den 06 oktober 2026
  • Dessutom levereras 300 enhet(er) från den 01 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
10 +309,669 kr3 096,69 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4579
Tillv. art.nr:
IXFN420N10T
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

420A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

GigaMOS Trench HiperFET

Kapseltyp

SOT-227

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

2.3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

1.07kW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

670nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20, +20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

38.23mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

25.07mm

Höjd

9.6mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™-serie


MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.