Infineon N Kanal, MOSFET, 39 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

RS-artikelnummer:: 830-3354
Tillv. art.nr:: IRLR2908TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 39 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

För närvarande inte tillgänglig

Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.

RS-artikelnummer:: 830-3354
Tillv. art.nr:: IRLR2908TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	39A
	Maximal källspänning för dränering Vds	80V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	30mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal effektförlust Pd	120W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-16V, +16V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	22nC
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Höjd	2.39mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	6.22mm
	Längd	6.73mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 39A
	Maximal källspänning för dränering Vds 80V
	Kapseltyp TO-252
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 30mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal effektförlust Pd 120W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -16V, +16V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Höjd 2.39mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 6.22mm
	Längd 6.73mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: MX

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 39 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 120 W maximal effektförlust - IRLR2908TRPBF

Denna MOSFET är utformad för mångsidighet och effektivitet i olika tillämpningar som kräver exakt strömkontroll, särskilt i utrymmesbegränsade miljöer. Tack vare sin HEXFET-teknik upprätthåller den effektiv prestanda vid höga temperaturer, vilket gör den till ett lämpligt alternativ för moderna elektroniska och elektriska system. Dess förmåga att hantera betydande effektförlust under drift under utmanande förhållanden ökar dess relevans.

Funktioner & fördelar

• Kontinuerlig dräneringsströmkapacitet på upp till 39 A för krävande belastningstillämpningar

• Maximal drain-källspänning på 80 V för ökad tillförlitlighet

• Låg påslagningsresistans på 30 mΩ för förbättrad energieffektivitet

• Fungerar vid höga temperaturer upp till +175 °C för krävande miljöer

• Ytmonterad design underlättar installation och montering

• Förbättringsläge ger förbättrad kontroll för varierade kretsar

Användningsområden

• Används i strömförsörjningskretsar för effektiv omkoppling

• Lämplig för motorstyrning kräver exakt strömreglering

• Används i fordonssystem för effektiv strömhantering

• Idealisk för högfrekventa omkopplingskretsar för att förbättra effektiviteten

• Antagen i industriella automationssystem för överlägsen prestanda

Vilka är de termiska egenskaperna för denna komponent?

Termisk resistans från koppling till hölje är cirka 1,3 °C/W, vilket stöder effektiv värmeavledning under drift, vilket är avgörande för att upprätthålla optimal prestanda och tillförlitlighet.

Hur säkerställer jag korrekt installation för optimal prestanda?

Det är viktigt att följa lämpliga riktlinjer för kretskortsdesign, särskilt med fokus på att minimera induktans och maximera termisk kontakt med substratet för att förhindra överhettning under drift.

Kan den hantera pulserande strömmar effektivt?

Ja, den kan stödja pulserande dräneringsströmmar upp till 150 A, vilket möjliggör hantering av transienter utan att kompromissa med enhetens integritet.

Vad är betydelsen av RDS(on)-värdet i drift?

Det låga RDS(on)-värdet på 30 mΩ är viktigt eftersom det minskar effektförluster under omkoppling, vilket förbättrar den övergripande kretsens effektivitet och prestanda.

Hur påverkar grindtröskelspänningen funktionaliteten?

Med en tröskelspänning mellan 1 V och 2,5 V möjliggör den exakt styrning, vilket gör den lämplig för olika elektroniska tillämpningar som kräver exakt omkoppling.