Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V, TO-252, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

17 088,00 kr

(exkl. moms)

21 360,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 16 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +5,696 kr17 088,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-5546
Tillv. art.nr:
IRFR4615TRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

33A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Kretskort

Maximal drain-källresistans Rds

34mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

144W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

26nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineons IR MOSFET-familj av effekt-MOSFET-er använder beprövade silikonprocesser som erbjuder designers ett brett utbud av enheter för att stödja olika tillämpningar som DC-motorer, växelriktare, SMPS, belysning, lastomkopplare samt batteridrivna tillämpningar. Enheterna finns tillgängliga i en mängd olika ytmonterings- och genomgående hålförpackningar med industristandardfotavtryck för enkel design.

Plan cellstruktur för bred SOA

Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

<

Ytmonterad förpackning enligt industristandard

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.