Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Förbättring, TO-252, HEXFET

RS-artikelnummer:: 257-5546
Tillv. art.nr:: IRFR4615TRLPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Förbättring, TO-252, HEXFET

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

17 088,00 kr

(exkl. moms)

21 360,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 22 juni 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	5,696 kr	17 088,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 257-5546
Tillv. art.nr:: IRFR4615TRLPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	33A
	Maximal källspänning för dränering Vds	150V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	TO-252
	Typ av fäste	Kretskort
	Maximal drain-källresistans Rds	42mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	26nC
	Maximal effektförlust Pd	144W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 33A
	Maximal källspänning för dränering Vds 150V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp TO-252
	Typ av fäste Kretskort
	Maximal drain-källresistans Rds 42mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 26nC
	Maximal effektförlust Pd 144W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IRFR4615TRLPBF

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 150 V maximal drain-source-spänning, 33 A maximal kontinuerlig drain-ström - IRFR4615TRLPBF

Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal-förstärkningsläge som är utformad för kretskortsmontering i strömomkopplingsroller. Den hanterar betydande kontinuerlig ström samtidigt som den arbetar över ett brett omgivningstemperaturområde och är lämplig där kontrollerad grindstyrning och termisk hantering krävs.

Funktioner och fördelar:

• 42 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster
• 150 V Vds möjliggör högspänningsswitchning
• 33 A kontinuerlig ström stöder tunga laster
• 144 W effektförlust möjliggör kontinuerlig drift
• 26 nC grindladdning möjliggör responsiv omkoppling

Användningsområden

• Lämplig för högspännings-DC-DC-omvandlare
• Idealisk för strömomkoppling i växelriktare
• Används med motordrivningssteg som kräver hög ström
• Kan användas för telekomströmförsörjningar
• Lämplig för industriella strömhanteringsmoduler

Vilka gränsvärden för grinddrivning måste iakttas?

Grind-till-källklassningen är ±20 V, så grinddrivaramplituden måste ligga inom det intervallet för att undvika skador.

Hur påverkar den termiska prestandan monteringsvalen?

Med en dissipationsgrad på 144 W krävs effektiva kopparytor för kretskort eller kylelement för att hantera kopplingstemperaturer under långvarig belastning.

Vilka extrema temperaturer kan enheten tolerera?

Den fungerar i temperaturområden från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med stor termisk variation.

Är denna komponent lämplig för fordonskvalificering?

Den är inte specificerad som fordonsklassad

överensstämmelsen är endast RoHS-godkänd.