Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 168-6003
- Tillv. art.nr:
- IRFR7546TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 2000 enheter)*
7 876,00 kr
(exkl. moms)
9 844,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 3,938 kr | 7 876,00 kr |
| 4000 + | 3,741 kr | 7 482,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-6003
- Tillv. art.nr:
- IRFR7546TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 71A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 58nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 99W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.73mm | |
| Bredd | 2.39mm | |
| Höjd | 6.22mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 71A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 58nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 99W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.73mm | ||
Bredd 2.39mm | ||
Höjd 6.22mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 71 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 99 W maximal effektförlust - IRFR7546TRPBF
Denna högpresterande MOSFET är utformad för olika tillämpningar som kräver effektiv strömhantering. Med robusta specifikationer är den väl lämpad för scenarier som kräver hållbarhet och högströmsförmåga. Den används ofta i automations- och elektriska tillämpningar och visar exceptionella prestandakarakteristik i olika miljöer.
Funktioner & fördelar
• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 71 A
• Klassad för en maximal dräneringskällspänning på 60 V
• Låg påslagningsresistans förbättrar effektiviteten i strömförsörjningen
• DPAK-paket utformat för enkel ytmontering
• Hög effektförlustkapacitet förbättrar värmehanteringen
• Förbättringslägesdrift optimerar omkopplingsprestanda
Användningsområden
• Lämplig för borstad motordrivning
• Användbar i batteridrivna kretsdesigner
• Används i topologier med halv- och full-brygga
• Effektiv i synkronlikriktare
• Används i DC/DC- och AC/DC-strömomvandlingssystem
Vilken är den termiska specifikationen för kontinuerlig drift?
Den stöder en maximal effektförlust på 99 W, vilket säkerställer effektiv drift utan överhettning under lämpliga förhållanden.
Hur fungerar den i miljöer med höga temperaturer?
Enheten fungerar effektivt upp till en maximal kopplingstemperatur på +175 °C, vilket gör den användbar i utmanande situationer.
Vilka monteringsalternativ finns tillgängliga för installation?
Den har en ytmonterad design i ett DPAK-paket, vilket möjliggör enkel integrering på kretskort samtidigt som den sparar utrymme.
Finns det en begränsning av grindspänningen?
Ja, grind-till-källspänningen får inte överstiga ±20 V för att säkerställa säkra driftsförhållanden.
Vilka åtgärder förbättrar dess tillförlitlighet under drift?
Robustheten förbättras genom avalanche- och dynamiska dV/dt-skyddsfunktioner, vilket säkerställer tillförlitlig prestanda under olika förhållanden.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 32 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET