Infineon N Kanal, MOSFET, 63 A 100 V Förbättring, TO-252, HEXFET

Denna MOSFET är en effekttransistor med genomgående hål som är utformad för omkopplings- och strömhanteringsroller i kretsar som kräver hög strömhantering och förhöjd temperaturhållbarhet. Den fungerar som en N-kanalförstärkningsenhet som är klassad för tillämpningar med medelhög spänning och är avsedd för installationer där ett TO-252-paket och enkel kretskortsmontering föredras.

• 16 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster vid högt strömflöde
• 100 V Vds stöder medelspänningsomkopplingstillämpningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 63 A möjliggör kontinuerlig drift med hög belastning
• Temperaturområde -55 °C till +175 °C möjliggör användning vid höga temperaturer
• 1,3 V framåtriktad grindspänning möjliggör effektiv grinddrivarprestanda

• Lämplig för DC-strömomvandlingsstegen i industriell utrustning
• Idealisk för omkoppling av motordrivenheter i kompakta enheter
• Används med nätaggregat som kräver hög strömgenomströmning
• Kan användas för batterihantering i system med hög belastning
• Lämpligt för värmestressprovning av armaturer och anordningar

Den levereras i en TO‐252-kapsel konfigurerad för montering med genomgående hål, vilket underlättar mekanisk stabilitet och värmeavledning.

Den fungerar som en N-kanaltransistor med förstärkningsläge, vilket kräver en positiv gate-to-source-enhet för ledning.

Enheten är specifik för drift över ett intervall på -55 °C till +175 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med betydande termisk variation.

Delarna uppfyller inte fordonsstandarder och bör inte antas uppfylla dessa specifika kvalificeringskriterier.