Infineon N Kanal, MOSFET, 63 A 100 V Förbättring, TO-252, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

13 514,00 kr

(exkl. moms)

16 892,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +6,757 kr13 514,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-9452
Tillv. art.nr:
IRLR3110ZTRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

63A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-252

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Genomgående hål

Maximal drain-källresistans Rds

16mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

+175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineons IRLR-serie är 100 V HEXFET-effektmosfet i en D-Pak-kapsel.

Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

Logiknivån är optimerad för 10 V grindstyrningsspänning, kapabel till 4,5 V grindstyrningsspänning

Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard

Kan våglödas

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.