Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9406
- Tillv. art.nr:
- IRFR3607TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
113,62 kr
(exkl. moms)
142,025 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 765 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 22,724 kr | 113,62 kr |
| 50 - 120 | 19,77 kr | 98,85 kr |
| 125 - 245 | 18,452 kr | 92,26 kr |
| 250 - 495 | 17,316 kr | 86,58 kr |
| 500 + | 12,498 kr | 62,49 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9406
- Tillv. art.nr:
- IRFR3607TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 56nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 140W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 56nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 140W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRFR-serie är en 75 V HEXFET-effektmosfet med en n-kanal i en D Pak-kapsel. IR mosfet-familjen av effektmosfeter bygger på beprövade kiselprocesser och erbjuder konstruktörer en bred portfölj av enheter för olika applikationer som likströmsmotorer, inverterare, SMPS, belysning, lastbrytare och batteridrivna applikationer. Enheterna finns i en mängd olika ytmonterade och genomgående hål med industristandardiserade fotavtryck som underlättar konstruktionen.
Plan cellstruktur för bred SOA
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Kisel optimerat för applikationer som växlar under 100 kHz
Ytmonterad förpackning enligt industristandard
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 75 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET