Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 830-3348
- Tillv. art.nr:
- IRLR2705TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
105,82 kr
(exkl. moms)
132,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 60 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 2 140 enhet(er) från den 19 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 5,291 kr | 105,82 kr |
| 100 - 180 | 4,08 kr | 81,60 kr |
| 200 - 480 | 3,799 kr | 75,98 kr |
| 500 - 980 | 3,545 kr | 70,90 kr |
| 1000 + | 3,281 kr | 65,62 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 830-3348
- Tillv. art.nr:
- IRLR2705TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 28A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 68W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.73mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 28A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 68W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.39mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.73mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 28 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 68 W maximal effektförlust - IRLR2705TRPBF
Denna MOSFET är konstruerad för utmärkt prestanda inom en rad elektroniska tillämpningar. Med hjälp av moderna framsteg inom MOSFET-teknik spelar den en betydande roll i omkopplingstillämpningar där effektivitet och tillförlitlighet är avgörande. Dess distinkta funktioner gör den till ett utmärkt alternativ för automation och elektriska system som kräver hög strömhantering och robust drift.
Funktioner & fördelar
• Hög kontinuerlig dräneringsström på 28 A förbättrar prestandan
• Maximal nominell spänning på 55 V ökar omkopplingsförmågan
• Låg påslagningsresistans på 65 mΩ minimerar energiförlusten
• Fungerar effektivt vid temperaturer upp till +175 °C
• Utformad för ytmontering i ett DPAK TO-252-paket för effektivitet
• Enkel förbättringslägekonfiguration underlättar kretsdesign
Användningsområden
• Lämpligt för strömhantering inom industriell automation
• Idealisk för energieffektiv omkoppling i nätaggregat
• Används vanligtvis i motorstyrningskretsar
• Lämplig för användning i DC-DC-omvandlare
Vad är den maximala effektförlusten för denna komponent?
Den maximala effektförlusten är 68 W, vilket möjliggör effektiv värmehantering under drift.
Hur påverkar arbetstemperaturområdet användningen?
Enheten fungerar effektivt mellan -55 °C och +175 °C, vilket gör den lämplig för olika miljöförhållanden.
Finns det en specifik installationsmetod som rekommenderas för denna MOSFET?
Enheten är utformad för ytmontering med tekniker som lödning för att säkerställa tillförlitliga anslutningar.
Kan denna MOSFET användas parallellt med andra?
Ja, den kan användas i parallella konfigurationer, men korrekt värmehantering är avgörande för att förhindra överhettning.
Vilken typ av grinddrivare rekommenderas för optimal prestanda?
En grinddrivare på logiknivå rekommenderas för effektiv omkoppling, vilket säkerställer att enheten fungerar inom de angivna tröskelnivåerna.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 18 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -11 A -55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET