Infineon N Kanal, MOSFET, 56 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 222-4751
- Tillv. art.nr:
- IRFR2405TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 15 enheter)*
223,89 kr
(exkl. moms)
279,87 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 90 enhet(er) levereras från den 21 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 14,926 kr | 223,89 kr |
| 75 - 135 | 14,172 kr | 212,58 kr |
| 150 - 360 | 13,575 kr | 203,63 kr |
| 375 - 735 | 12,985 kr | 194,78 kr |
| 750 + | 12,089 kr | 181,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4751
- Tillv. art.nr:
- IRFR2405TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 56A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 160kΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 6.22mm | |
| Bredd | 2.39mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.73mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 56A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 160kΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 6.22mm | ||
Bredd 2.39mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.73mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons design av HEXFET® Power MOSFET-transistorer från International Rectifier använder avancerade bearbetningstekniker för att uppnå extremt låg påslagningsresistans per kiselarea. Denna fördel, i kombination med den snabba kopplingshastigheten och den robusta konstruktionen som HEXFET-power MOSFETs är välkända för, ger konstruktören en extremt effektiv och tillförlitlig enhet för användning i en mängd olika applikationer.
Avancerad processteknik
Dynamisk dv/dt-klassning
Snabbväxlande
Fullt lavinklassad
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 55 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 18 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET