Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 59 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 217-2620
- Distrelec artikelnummer:
- 304-39-420
- Tillv. art.nr:
- IRFR2905ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
181,66 kr
(exkl. moms)
227,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Håller på att utgå
- Slutlig(a) 1 140 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 9,083 kr | 181,66 kr |
| 100 - 180 | 8,635 kr | 172,70 kr |
| 200 - 480 | 8,26 kr | 165,20 kr |
| 500 - 980 | 7,902 kr | 158,04 kr |
| 1000 + | 7,347 kr | 146,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2620
- Distrelec artikelnummer:
- 304-39-420
- Tillv. art.nr:
- IRFR2905ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 59A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 14.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 29nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 59A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 14.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 29nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.39mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.22mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET® Power MOSFET utnyttjar de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt låg on-resistans per kiselarea. Ytterligare egenskaper hos denna konstruktion är en driftstemperatur på 175°C, snabb omkopplingshastighet och förbättrad repetitiv lavinklassning. Dessa egenskaper samverkar till att göra denna konstruktion till en extremt effektiv och tillförlitlig enhet som kan användas i en mängd olika applikationer.
Avancerad processteknik
Ultra låg på-resistans
175°C Driftstemperatur
Snabbväxlande
Repetitiv lavin tillåts upp till Tjmax
Blyfri
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 59 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 18 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -11 A -55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET