Infineon N Kanal, MOSFET, 60 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 168-8971
- Tillv. art.nr:
- IRLR2905ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 4000 till för att spara 520,00 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 2000 enheter)*
10 422,00 kr
(exkl. moms)
13 028,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 5,211 kr | 10 422,00 kr | - |
| 4000 + | 5,081 kr | 10 162,00 kr | 520,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-8971
- Tillv. art.nr:
- IRLR2905ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -16V, +16V | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 7.49mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -16V, +16V | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.39mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 7.49mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals Power MOSFET 55V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanaliga enheter i ytmonterade och blyade paket och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 60 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 25 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 59 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 56 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 44 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 42 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET