Infineon N Kanal, MOSFET, 6.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, Micro6, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 830-3326
- Tillv. art.nr:
- IRLMS2002TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (30 enheter, i en förpackning med 30)*
119,61 kr
(exkl. moms)
149,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Slutlig(a) 180 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 3,987 kr | 119,61 kr |
| 150 - 270 | 3,789 kr | 113,67 kr |
| 300 - 720 | 3,409 kr | 102,27 kr |
| 750 - 1470 | 3,065 kr | 91,95 kr |
| 1500 + | 2,912 kr | 87,36 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 830-3326
- Tillv. art.nr:
- IRLMS2002TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | Micro6 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 45mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -12, +12V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.75mm | |
| Höjd | 1.3mm | |
| Längd | 3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp Micro6 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 45mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -12, +12V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.75mm | ||
Höjd 1.3mm | ||
Längd 3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Undantagen
- COO (ursprungsland):
- TH
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 6,5 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 2 W maximal effektförlust - IRLMS2002TRPBF
Funktioner & fördelar
Användningsområden
Vad är den maximala kontinuerliga dräneringsströmmen vid förhöjda temperaturer?
Vilken värmebeständighet har den för effektiv prestanda?
Hur säkerställer jag optimal prestanda under installationen?
Vilken spänning kan appliceras utan risk för brott?
Finns det en specifik termisk derating-faktor att överväga?
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, Micro6, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.2 A 30 V Förbättring, 6 Ben, Micro6, HEXFET
- Infineon 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 6.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 30 V, SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
