Infineon N Kanal, MOSFET, 6.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, Micro6, HEXFET

RS-artikelnummer:: 165-5840
Tillv. art.nr:: IRLMS2002TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 6.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, Micro6, HEXFET

För närvarande inte tillgänglig

Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.

RS-artikelnummer:: 165-5840
Tillv. art.nr:: IRLMS2002TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	6.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	Micro6
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	6
	Maximal drain-källresistans Rds	45mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-12, +12V
	Maximal effektförlust Pd	2W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	15nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.3mm
	Längd	3mm
	Bredd	1.75mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp Micro6
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 6
	Maximal drain-källresistans Rds 45mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -12, +12V
	Maximal effektförlust Pd 2W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.3mm
	Längd 3mm
	Bredd 1.75mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

RoHS-status: Undantagen

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 6,5 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 2 W maximal effektförlust - IRLMS2002TRPBF

Denna N-kanal MOSFET är utformad för effektiv prestanda i batterihantering och lasthanteringstillämpningar. Dess förmåga att ge låg påslagningsresistans tillsammans med hög temperaturresistens bidrar till effektiv drift i olika elektroniska system. Med toppmoderna bearbetningstekniker är denna produkt idealisk för proffs inom automation, elektronik och elsektorer.

Funktioner & fördelar

• Ytmonterad design minimerar kretskortsutrymmesanvändningen

• Låg påslagningsresistans förbättrar energieffektiviteten

• Kontinuerlig dräneringsströmkapacitet på upp till 6,5 A

• Stöder ±12 V grind-till-källspänning för flexibel styrning

• Effektiv termisk prestanda minskar värmegenerering

Användningsområden

• Batterihantering för optimal energifördelning

• Lasthantering i olika elektroniska enheter

• Fordonsindustrin kräver robust strömhantering

• Högeffektiva strömförsörjningssystem

• Förnybara energisystem för energiregulering

Vad är den maximala kontinuerliga dräneringsströmmen vid förhöjda temperaturer?

Vid en temperatur på 70 °C kan en kontinuerlig dräneringsström på 5,2 A uppnås samtidigt som stabiliteten upprätthålls under specificerade förhållanden.

Vilken värmebeständighet har den för effektiv prestanda?

Det maximala termiska motståndet mellan koppling och omgivning är 62,5 °C/W, vilket säkerställer effektiv värmeavledning under drift.

Hur säkerställer jag optimal prestanda under installationen?

Korrekt värmehantering och noggrann övervägande av kretskortslayouten är avgörande för optimal prestanda, vilket möjliggör effektiv värmeavledning och tillförlitlighet.

Vilken spänning kan appliceras utan risk för brott?

Den maximala drain-källspänningen är 20 V, vilket fungerar som en kritisk tröskel för att förhindra onödiga fel under drift.

Finns det en specifik termisk derating-faktor att överväga?

Ja, den linjära nedgraderingsfaktorn är 0,016 W/°C, vilket indikerar att effektförlusten måste justeras baserat på omgivningstemperatur för att bibehålla tillförlitligheten.