Infineon N Kanal, MOSFET, 22 A 20 V Förbättring, PQFN, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

9 272,00 kr

(exkl. moms)

11 592,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 18 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 - 40002,318 kr9 272,00 kr
8000 +2,26 kr9 040,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-9444
Tillv. art.nr:
IRLHS6242TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

22A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

PQFN

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Genomgående hål

Maximal drain-källresistans Rds

11.70mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

14nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

9.6W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 20 V maximal drain-source-spänning, 22 A maximal kontinuerlig drain-ström - IRLHS6242TRPBF


Denna MOSFET är en N-kanal med genomgående hålförbättringsläge som är utformad för omkopplings- och strömstyrningsuppgifter. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och är lämplig för miljöer där kompakt förpackning och god kontinuerlig ström krävs. Viktiga elektriska gränser och termiska egenskaper stöder integrering i enheter som kräver kontrollerad grinddrivning och måttlig strömförlust.

Funktioner och fördelar:


• Lågt ledningsmotstånd ger minskade ledningsförluster
• Hög kontinuerlig ström hanterar tyngre belastningsströmmar
• Måttlig grindladdning möjliggör rimligt snabb omkoppling
• Brett driftstemperaturområde stöder tuffa miljöer
• Kontrollerad grindspänning skyddar mot drivspänningsöverspänning

Användningsområden


• Lämplig för DC-omkoppling och belastningsstyrning med medelhög spänning
• Idealisk för effektstegskomponenter i industriella förbrukningsenheter
• Används med motordrivkretsar som kräver 22 A-kapacitet
• Kan användas för batterihantering och skyddssystem
• Lämplig för kompakta strömomvandlare i PQFN-kapslar

Vilken termisk prestanda bör förväntas under belastning?


Den dissiperar upp till 9,6 W, så värmehantering som kylelement eller luftflöde krävs för att bibehålla kopplingstemperaturer.

Vilka gränsvärden för gate-drivning måste iakttas under designen?


Gate-källspänningen får inte överstiga 12 V för att undvika överspänning på ingångsgrindens struktur.

Hur fungerar enheten i extrema temperaturer?


Den är specifik för drift från -55 °C till 150 °C, vilket möjliggör användning i applikationer med breda omgivningstemperatursvängningar.

Vilka omkopplingsegenskaper är relevanta för transientdesign?


Den typiska totala grindladdningen är 14 nC vid nominella grinddrivarförhållanden, vilket informerar grinddrivarens storlek och omkopplingsförlustberäkningar.

Uppfyller denna enhet de vanliga miljödirektiven?


Den uppfyller RoHS-kriterier, vilket indikerar frånvaron av begränsade farliga ämnen i sin konstruktion.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.