Infineon N Kanal, MOSFET, 159 A 40 V Förbättring, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9381
- Tillv. art.nr:
- IRFH7440TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 4000 enheter)*
20 536,00 kr
(exkl. moms)
25 672,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 5,134 kr | 20 536,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9381
- Tillv. art.nr:
- IRFH7440TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 159A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 92nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 104W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 6mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 900μm | |
| Längd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 159A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 92nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 104W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 6mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 900μm | ||
Längd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRFH-serie är en 40 V enkel n-kanal stark IRFET-effektmosfet i en PQFN 5x6-kapsel. Den kraftfulla IRFET-familjen är optimerad för lågt RDS (on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, inverterare och likströmsomvandlare.
Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Kisel optimerat för applikationer som växlar under 100 kHz
Mjukare diodkropp jämfört med tidigare kiselgeneration
Bred portfölj tillgänglig
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 159 A 40 V Förbättring, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7.60 A 30 V Förbättring, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 22 A 20 V Förbättring, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 44 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 44 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 82 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET