Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 159 A 40 V, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9381
- Tillv. art.nr:
- IRFH7440TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 4000 enheter)*
20 536,00 kr
(exkl. moms)
25 672,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 5,134 kr | 20 536,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9381
- Tillv. art.nr:
- IRFH7440TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 159A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.4mΩ | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 92nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 104W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 159A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.4mΩ | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 92nC | ||
Maximal effektförlust Pd 104W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 0.9mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRFH-serie är en 40 V enkel n-kanal stark IRFET-effektmosfet i en PQFN 5x6-kapsel. Den kraftfulla IRFET-familjen är optimerad för lågt RDS (on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, inverterare och likströmsomvandlare.
Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Kisel optimerat för applikationer som växlar under 100 kHz
Mjukare diodkropp jämfört med tidigare kiselgeneration
Bred portfölj tillgänglig
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 159 A 40 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 117 A 40 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 259 A 40 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 265 A 40 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 20 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.4 A 20 V, PQFN, HEXFET
