Infineon N Kanal, MOSFET, 159 A 40 V Förbättring, PQFN, HEXFET

RS-artikelnummer:: 257-9381
Tillv. art.nr:: IRFH7440TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 159 A 40 V Förbättring, PQFN, HEXFET

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

20 536,00 kr

(exkl. moms)

25 672,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 01 februari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
4000 +	5,134 kr	20 536,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 257-9381
Tillv. art.nr:: IRFH7440TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	159A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	PQFN
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Yta
	Maximal drain-källresistans Rds	2.4mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	104W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	900mV
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	92nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	5mm
	Bredd	6mm
	Höjd	900μm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 159A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp PQFN
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Yta
	Maximal drain-källresistans Rds 2.4mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 104W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 900mV
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 92nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 5mm
	Bredd 6mm
	Höjd 900μm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IRFH7440TRPBF

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 40 V maximal drain-source-spänning, 159 A maximal kontinuerlig drain-ström - IRFH7440TRPBF

Denna MOSFET är en N-kanals effekttransistor med förstärkningsläge som är utformad för högströmsomkoppling i ytmonterade tillämpningar. Den fungerar i ett brett temperaturområde och uppfyller RoHS-kraven, vilket gör den lämplig för miljöer där kompakt omkoppling med låg resistans krävs utan begränsningar för fordonscertifiering.

Funktioner och fördelar:

• 2,4 mΩ Rds(on) minskar ledningsförlusterna
• 104 W Pd möjliggör hållbar effekthantering
• 159 A kontinuerlig ström stöder tunga laster
• 92 nC grindladdning balanserar drivhastighet och kontroll
• 20 V Vgs max ger skydd mot grindöverspänning

Användningsområden

• Lämplig för högströms DC-effektsteg
• Idealisk för switchade nätaggregat
• Används med kompakta värmehanteringssystem
• Kan användas för motorstyrda växelriktarben
• Används för synkronlikriktelse i omvandlare

Vilken monteringsstil kräver den?

Den levereras i en PQFN-förpackning avsedd för ytmontering.

Vilket temperaturområde tål den under drift?

Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C.

Hur påverkar dess framåtriktade spänning effektiviteten?

Dess framåtriktade spänning på 0,9 V minskar spänningsfallet under ledning, vilket påverkar de totala systemförlusterna.

Är den lämplig för fordonskvalificerade konstruktioner?

Det är inte kvalificerat enligt fordonsstandarder och bör inte väljas där fordonscertifiering krävs.