Infineon N Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 250 enheter)*

452,25 kr

(exkl. moms)

565,25 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 250 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
250 - 7501,809 kr452,25 kr
1000 - 27501,408 kr352,00 kr
3000 - 57501,205 kr301,25 kr
6000 +1,147 kr286,75 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
827-0030
Distrelec artikelnummer:
304-44-426
Tillv. art.nr:
BSS214NWH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

OptiMOS

Kapseltyp

SC-70

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

250mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-12V, +12V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.8nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

500mW

Framåtriktad spänning Vf

800mV

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.25mm

Längd

2mm

Höjd

800μm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 20 V maximal drain-källspänning, 1,5 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSS214NWH6327XTSA1


Denna MOSFET är en kompakt N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för ytmonterad strömomkoppling och hantering i begränsade elektroniska monteringar. Den fungerar över ett brett omgivningsområde som lämpar sig för krävande temperaturförhållanden och är konstruerad för lågspännings- och lågströmstillämpningar där effektiv ledning och snabb grindrespons krävs.

Funktioner och fördelar:


• 20 V drain-source-klassning möjliggör kraftkonstruktioner med låg spänning
• 250 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster i omkopplingsvägar
• 0.8 nC typisk grindladdning stöder snabba grindövergångar
• Kontinuerlig dräneringsström på 1.5 A hanterar blygsamma belastningsströmmar
• Maximal dissipation på 500 mW möjliggör säker värmeutrymme
• Grindtröskelvärdet på 12 V maximerar grinddrivningens flexibilitet

Användningsområden


• Lämplig för omkoppling av sensorer i fordon
• Idealisk för batterihantering och belastningsfrånkoppling
• Används med styrlogik i distribuerade kraftmoduler
• Kan användas för små DC/DC-omvandlarsteg
• Lämplig för omkoppling av strömförsörjningsvägar i bärbara enheter

Vilket temperaturområde tål den i extrema miljöer?


Den är specificerad för att fungera från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i högtemperaturfordonszoner.

Hur kompakt är den för kortlayouter med hög densitet?


Komponenten levereras i ett litet ytmonterat SC-70-paket som mäter 2 mm x 1,25 mm med en låg profil på 0,8 mm.

Vilka gränsvärden för grinddrivning bör konstruktörer följa?


Gate-källspänningen får inte överstiga 12 V för att undvika överbelastning av gate-dielektrin.

Hur beter sig enheten under kontinuerlig belastning?


Den stöder en konstant dräneringsström på 1,5 A samtidigt som den sprider upp till 500 mW inom sina termiska begränsningar.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.