Infineon N Kanal, MOSFET, 1.4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS 2 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Få en mängdrabatt

Lägg till 6000 till för att spara 192,00 kr

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

1 896,00 kr

(exkl. moms)

2 370,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 30 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
Besparing
3000 - 30000,632 kr1 896,00 kr-
6000 - 120000,60 kr1 800,00 kr192,00 kr
15000 +0,562 kr1 686,00 kr1 050,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
166-0980
Tillv. art.nr:
BSS816NWH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SC-70

Serie

OptiMOS 2

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

240mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

500mW

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-8V, +8V

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.6nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

2mm

Höjd

800μm

Bredd

1.25mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
MY

Infineon OptiMOS 2-serien MOSFET, 20 V maximal drain-källspänning, 1,4 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSS816NWH6327XTSA1


Denna MOSFET är en kompakt N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för lågspänningsswitchning i fordons- och industriella elektroniska system. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och är avsedd för ytmonterade tillämpningar där ett litet fotavtryck och en blygsam effekthantering krävs.

Funktioner och fördelar:


• Låg påslagningsresistans på 240 mΩ minskar ledningsförluster och värme
• Maximal avtappningsström 1.4 A möjliggör omkoppling av måttlig belastning
• Drain-source-spänningsklassning 20 V stöder typiska fordonsskenor
• Grindladdning 0,6 nC möjliggör snabbare grindstyrning och minskad omkopplingsförlust
• Effektförlust på 500 mW möjliggör kontinuerlig drift under lätt belastning
• Gate-source-gränsen 8 V skyddar mot överdriven drivspänning

Användningsområden


• Passar för växlingssteg i fordonssensormoduler
• Idealisk för lastväxling i 12 V-hjälpkretsar
• Används med kringutrustning för batterihantering som kräver ett litet fotavtryck
• Kan användas för styrning av signalnivå i infotainmentsystem
• Kan användas till kompakta grindsteg för motorstyrning för låga strömmar

Vilket paket passar kortlayout med hög densitet?


Den levereras i ett ytmonterat SC-70-paket som minimerar kortytan och stöder automatiserad placering.

Hur fungerar den vid förhöjda omgivningstemperaturer?


Enheten är specifik för drift från -40 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i tuffa termiska miljöer som är typiska för underkapslade fordonsplatser.

Vilket drivspänningsområde ska tillämpas på grinden?


Den maximala tillåtna gate-to-source-spänningen är 8 V, så gate-drivare bör väljas för att hålla sig inom denna gräns.

Hur balanserar enheten omkopplingshastigheten och gate-drivenergin?


Med en typisk grindladdning på 0,6 nC kräver den relativt låg energi för att växla, vilket bidrar till effektivitet i system med repetitiva övergångar.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.