Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

22 277,50 kr

(exkl. moms)

27 847,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 10 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +8,911 kr22 277,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-4389
Tillv. art.nr:
IPD70N12S311ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

70A

Maximal källspänning för dränering Vds

120V

Kapseltyp

TO-252

Serie

OptiMOS-T

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

11.1mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

51nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

125W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

6.65mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

2.35mm

Bredd

6.42mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Denna Infineon OptiMOS MOSFET är lämplig för fordonstillämpningar och är 100 % Avalanche-testad.

Den är halogenfri enligt IEC61249-2-21

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.