DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

158,84 kr

(exkl. moms)

198,56 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 500 enhet(er) från den 24 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +7,942 kr158,84 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
823-3236
Tillv. art.nr:
DMN4031SSD-13
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SOIC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

50mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.74V

Maximal effektförlust Pd

2.6W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20, +20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8.4nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Standarder/godkännanden

AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202

Längd

4.95mm

Höjd

1.5mm

Bredd

3.95mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Dubbel N-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.