DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 6.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 823-4018
- Tillv. art.nr:
- DMN6040SSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
66,22 kr
(exkl. moms)
82,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 300 enhet(er) från den 15 juni 2026
- Dessutom levereras 86 500 enhet(er) från den 22 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 + | 3,311 kr | 66,22 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 823-4018
- Tillv. art.nr:
- DMN6040SSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 55mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.7V | |
| Minsta arbetsstemperatur | 150°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10.4nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.7W | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | -55°C | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Standarder/godkännanden | MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Längd | 4.95mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 55mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.7V | ||
Minsta arbetsstemperatur 150°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10.4nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1.7W | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur -55°C | ||
Höjd 1.5mm | ||
Standarder/godkännanden MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Längd 4.95mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Dubbel N-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 6.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7.6 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.1 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 5.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200