DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7.6 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

7 727,50 kr

(exkl. moms)

9 660,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +3,091 kr7 727,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
169-7464
Tillv. art.nr:
DMN2041LSD-13
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOIC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

41mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

1.16W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

7.2nC

Framåtriktad spänning Vf

0.7V

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0

Höjd

1.5mm

Längd

4.95mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

Dubbel N-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.