Vishay 1 Typ P, Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 35 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, Si7129DN
- RS-artikelnummer:
- 818-1384
- Tillv. art.nr:
- SI7129DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 818-1384
- Tillv. art.nr:
- SI7129DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 35A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | Si7129DN | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 20mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 52.1W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -50°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24.6nC | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Höjd | 1.07mm | |
| Bredd | 3.15mm | |
| Längd | 3.15mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P, Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 35A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie Si7129DN | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 20mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 52.1W | ||
Minsta arbetsstemperatur -50°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24.6nC | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Höjd 1.07mm | ||
Bredd 3.15mm | ||
Längd 3.15mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanal MOSFET, 30 V till 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay 1 Typ P, Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 35 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, Si7129DN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 40 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, Si7615ADN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSH101DN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5.7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8
- Vishay, IGBT, Typ P Kanal, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 Yta
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen III
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8.9 A 150 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8