Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, Si7615ADN
- RS-artikelnummer:
- 787-9248
- Tillv. art.nr:
- SI7615ADN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
91,95 kr
(exkl. moms)
114,94 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 08 oktober 2026
- Sista 3 990 enhet(er) levereras från den 15 oktober 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 9,195 kr | 91,95 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 787-9248
- Tillv. art.nr:
- SI7615ADN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 35A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | Si7615ADN | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0044Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -12V, +12V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 59nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 52W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.4mm | |
| Standarder/godkännanden | Lead (Pb)-Free | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Längd | 3.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 35A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie Si7615ADN | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0044Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -12V, +12V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 59nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 52W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.4mm | ||
Standarder/godkännanden Lead (Pb)-Free | ||
Höjd 1.12mm | ||
Längd 3.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanal MOSFET, 8 V till 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, Si7615ADN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSH101DN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen III
- Vishay 1 Typ P, Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 35 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, Si7129DN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 40 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5.7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 9.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, Si7121DN