Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5.7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8

RS-artikelnummer:: 180-7317
Tillv. art.nr:: SI7415DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5.7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

31 854,00 kr

(exkl. moms)

39 816,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 19 maj 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	10,618 kr	31 854,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7317
Tillv. art.nr:: SI7415DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	5.7A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Kapseltyp	PowerPAK 1212-8
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.065Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	3.8W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	25nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.12mm
	Standarder/godkännanden	IEC 61249-2-21
	Längd	3.61mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.7A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Kapseltyp PowerPAK 1212-8
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.065Ω
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 3.8W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.12mm
	Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21
	Längd 3.61mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

Vishays ytmonterade P-kanal PowerPAK-1212-8 MOSFET är en ny tidsprodukt med en dräneringskällspänning på 60 V och en maximal grindkällspänning på 20 V. Den har ett drain-source-motstånd på 65 mohm vid en gate-source-spänning på 10 V. Den har en maximal effektförlust på 3,8 W och kontinuerlig dräneringsström på 5,7 A. Den har en lägsta och en högsta drivspänning på 4,5 V respektive 10 V. Denna produkt har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.

Funktioner och fördelar

• Snabbväxlande

• Halogenfria

• Blyfri (Pb) komponent

• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 150 °C

• TrenchFET effekt MOSFET

Användningsområden

• Halvbrygga motordrivrutiner

• Högspännings icke-synkrona buck-omvandlare

• Lastomkopplare

Certifieringar

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007