Vishay N Kanal, MOSFET, 8.1 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHF634S

Se alla MOSFET-transistor
Få en mängdrabatt

Lägg till 100 till för att spara 89,60 kr

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

149,41 kr

(exkl. moms)

186,76 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 28 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
Besparing
10 - 9014,941 kr149,41 kr-
100 - 24014,045 kr140,45 kr89,60 kr
250 - 49012,701 kr127,01 kr560,00 kr
500 - 99011,973 kr119,73 kr1 484,00 kr
1000 +11,222 kr112,22 kr3 719,00 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
815-2632
Tillv. art.nr:
SIHF634S-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

250V

Kapseltyp

TO-263

Serie

SiHF634S

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

450mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

74W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

41nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.67mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

9.65mm

Höjd

4.83mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal MOSFET, 200 V till 250 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.